Путь:OKDatasheet > Полупроводниковые Datasheet > Motorola Datasheet > MTY100N10E
MTY100N10E спецификации: TMOS E-FET power field effect transistor
Аналогичные MTY100N10E
- MTY100N10E
- TMOS E-FET power field effect transistor
- MTY16N80E
- TMOS E-FET power field effect transistor
MTY100N10E Datasheet и спецификация
Производитель : Motorola
Упаковка : TO-264
Pins : 3
Темп. диапазон : Минимум -55 °C | Макс 150 °C
Размер : 237 KB
Заявка : TMOS E-FET power field effect transistor
MTY100N10E Скачать PDF