MTW6N100E спецификации: TMOS E-FET power field effect transistor TO-247 with isolated mounting hole

Аналогичные MTW6N100E

MTW6N100E
- TMOS E-FET power field effect transistor TO-247 with isolated mounting hole

MTW6N100E Datasheet и спецификация

Производитель : Motorola

Упаковка : TO-247AE

Pins : 4

Темп. диапазон : Минимум -55 °C | Макс 150 °C

Размер : 214 KB

Заявка : TMOS E-FET power field effect transistor TO-247 with isolated mounting hole