MTW45N10E спецификации: TMOS E-FET power field effect transistor TO-247 with isolated mounting hole

Аналогичные MTW45N10E

MTW45N10E
- TMOS E-FET power field effect transistor TO-247 with isolated mounting hole

MTW45N10E Datasheet и спецификация

Производитель : Motorola

Упаковка : TO-247AE

Pins : 4

Темп. диапазон : Минимум -55 °C | Макс 150 °C

Размер : 170 KB

Заявка : TMOS E-FET power field effect transistor TO-247 with isolated mounting hole