Путь:OKDatasheet > Полупроводниковые Datasheet > Motorola Datasheet > MTV6N100E
MTV6N100E спецификации: TMOS E-FET power field effect transistor D3PAK for surface mount
Аналогичные MTV6N100E
- MTV6N100E
- TMOS E-FET power field effect transistor D3PAK for surface mount
MTV6N100E Datasheet и спецификация
Производитель : Motorola
Упаковка : DPAK
Pins : 4
Темп. диапазон : Минимум -55 °C | Макс 150 °C
Размер : 288 KB
Заявка : TMOS E-FET power field effect transistor D3PAK for surface mount
MTV6N100E Скачать PDF