Путь:OKDatasheet > Полупроводниковые Datasheet > Motorola Datasheet > MTV16N50E
MTV16N50E спецификации: TMOS E-FET power field effect transistor D3PAK for surface mount
Аналогичные MTV16N50E
- MTV10N100E
- TMOS E-FET power field effect transistor D3PAK for surface mount
- MTV16N50E
- TMOS E-FET power field effect transistor D3PAK for surface mount
MTV16N50E Datasheet и спецификация
Производитель : Motorola
Упаковка : DPAK
Pins : 4
Темп. диапазон : Минимум -55 °C | Макс 150 °C
Размер : 303 KB
Заявка : TMOS E-FET power field effect transistor D3PAK for surface mount
MTV16N50E Скачать PDF