Аналогичные MTP4N50E

  • MTP40N10E
    • TMOS E-FET power field effect transistor
  • MTP4N40E
    • TMOS E-FET power field effect transistor
  • MTP4N50E
    • TMOS E-FET high energy power FET
  • MTP4N80E
    • TMOS E-FET power field effect transistor

MTP4N50E Datasheet и спецификация

Производитель : Motorola 

Упаковка :  

Pins : 4 

Темп. диапазон : Минимум -55 °C | Макс 150 °C

Размер : 279 KB

Заявка : TMOS E-FET high energy power FET 

MTP4N50E Скачать PDF