Путь:OKDatasheet > Полупроводниковые Datasheet > Motorola Datasheet > MTP33N10E
MTP33N10E спецификации: TMOS E-FET power field effect transistor
Аналогичные MTP33N10E
- MTP3055VL
- TMOS V power field effect transistor
- MTP30N06VL
- TMOS V power field effect transistor
- MTP30P06V
- TMOS V power field effect transistor
- MTP33N10E
- TMOS E-FET power field effect transistor
- MTP36N06V
- TMOS V power field effect transistor
- MTP3N100E
- TMOS E-FET power field effect transistor
- MTP3N120E
- TMOS E-FET power field effect transistor
- MTP3N25E
- TMOS E-FET power field effect transistor
MTP33N10E Datasheet и спецификация
Производитель : Motorola
Упаковка :
Pins : 4
Темп. диапазон : Минимум -55 °C | Макс 150 °C
Размер : 263 KB
Заявка : TMOS E-FET power field effect transistor
MTP33N10E Скачать PDF