Путь:OKDatasheet > Полупроводниковые Datasheet > Motorola Datasheet > MTP1N100E
MTP1N100E спецификации: TMOS E-FET power field effect transistor
Аналогичные MTP1N100E
- MTP10N10E
- TMOS IV power field effect transistor
- MTP10N10EL
- Logic level TMOS E-FET power field effect transistor
- MTP10N40E
- TMOS E-FET high energy power FET
- MTP12N10E
- TMOS E-FET power field effect transistor
- MTP12P10
- Power field effect transistor
- MTP1302
- HDTMOS E-FET high density power FET
- MTP1306
- HDTMOS E-FET high density power FET
- MTP1306
- HDTMOS E-FET high density power FET
MTP1N100E Datasheet и спецификация
Производитель : Motorola
Упаковка :
Pins : 4
Темп. диапазон : Минимум -55 °C | Макс 150 °C
Размер : 223 KB
Заявка : TMOS E-FET power field effect transistor
MTP1N100E Скачать PDF