Путь:OKDatasheet > Полупроводниковые Datasheet > Motorola Datasheet > MTD2955V
MTD2955V спецификации: TMOS V power field effect transistor D2PAK for surface mount
Аналогичные MTD2955V
- MTD20N03HDL
- HDTMOS E-FET high density power FET D2PAK for surface mount
- MTD20N06HD
- HDTMOS E-FET power field effect transistor D2PAK for surface mount
- MTD20N06HDL
- HDTMOS E-FET high density power FET D2PAK for surface mount
- MTD20N06V
- TMOS V power field effect transistor D2PAK for surface mount
- MTD20P03HDL
- HDTMOS E-FET high density power FET D2PAK for surface mount
- MTD20P06HDL
- HDTMOS E-FET high density power FET D2PAK for surface mount
- MTD2955E
- TMOS E-FET power field effect transistor D2PAK for surface mount
- MTD2955V
- TMOS V power field effect transistor D2PAK for surface mount
MTD2955V Datasheet и спецификация
Производитель : Motorola
Упаковка : DPAK
Pins : 4
Темп. диапазон : Минимум -55 °C | Макс 175 °C
Размер : 162 KB
Заявка : TMOS V power field effect transistor D2PAK for surface mount
MTD2955V Скачать PDF