Путь:OKDatasheet > Полупроводниковые Datasheet > Motorola Datasheet > MTD1N60E
MTD1N60E спецификации: TMOS E-FET power field effect transistor D2PAK for surface mount
Аналогичные MTD1N60E
- MTD1302
- HDTMOS E-FET high dansity power FET D2PAK for surface mount
- MTD15N06V
- TMOS V power field effect transistor D2PAK for surface mount
- MTD15N06VL
- TMOS V power field effect transistor D2PAK for surface mount
- MTD1N50E
- TMOS E-FET power field effect transistor D2PAK for surface mount
- MTD1N60E
- TMOS E-FET power field effect transistor D2PAK for surface mount
- MTD1N80E
- TMOS E-FET power field effect transistor D2PAK for surface mount
- MTD1N80E
- TMOS E-FET power field effect transistor D2PAK for surface mount
- MTD1P50E
- TMOS E-FET high energy power FET D2PAK for surface mount
MTD1N60E Datasheet и спецификация
Производитель : Motorola
Упаковка : DPAK
Pins : 4
Темп. диапазон : Минимум -55 °C | Макс 150 °C
Размер : 292 KB
Заявка : TMOS E-FET power field effect transistor D2PAK for surface mount
MTD1N60E Скачать PDF