Путь:OKDatasheet > Полупроводниковые Datasheet > Motorola Datasheet > MTB6N60E
MTB6N60E спецификации: TMOS E-FET high energy power FET D2PAK for surface mount
Аналогичные MTB6N60E
- MTB60N06HD
- HDTMOS E-FET high energy power FET D2PAK for surface mount
- MTB6N60E
- TMOS E-FET high energy power FET D2PAK for surface mount
- MTB6N60E1
- TMOS E-FET high energy power FET D2PAK for surface mount
MTB6N60E Datasheet и спецификация
Производитель : Motorola
Упаковка : DPAK
Pins : 4
Темп. диапазон : Минимум -55 °C | Макс 150 °C
Размер : 211 KB
Заявка : TMOS E-FET high energy power FET D2PAK for surface mount
MTB6N60E Скачать PDF