Аналогичные MTB4N80E1

  • MTB4N80E1
    • TMOS E-FET high energy power FET D2PAK for surface mount

MTB4N80E1 Datasheet и спецификация

Производитель : Motorola 

Упаковка : DPAK 

Pins : 4 

Темп. диапазон : Минимум -55 °C | Макс 150 °C

Размер : 175 KB

Заявка : TMOS E-FET high energy power FET D2PAK for surface mount 

MTB4N80E1 Скачать PDF