Путь:OKDatasheet > Полупроводниковые Datasheet > Motorola Datasheet > MTB2N60E
MTB2N60E спецификации: TMOS E-FET high energy power FET
Путь:OKDatasheet > Полупроводниковые Datasheet > Motorola Datasheet > MTB2N60E
MTB2N60E спецификации: TMOS E-FET high energy power FET
Производитель : Motorola
Упаковка : DPAK
Pins : 4
Темп. диапазон : Минимум -55 °C | Макс 150 °C
Размер : 298 KB
Заявка : TMOS E-FET high energy power FET