Путь:OKDatasheet > Полупроводниковые Datasheet > Motorola Datasheet > MTB1N100E
MTB1N100E спецификации: TMOS E-FET high energy power FET
MTB1N100E Datasheet и спецификация
Производитель : Motorola
Упаковка : DPAK
Pins : 4
Темп. диапазон : Минимум -55 °C | Макс 150 °C
Размер : 281 KB
Заявка : TMOS E-FET high energy power FET
MTB1N100E Скачать PDF