Аналогичные MGW12N120D

  • MGW12N120
    • Insulated gate bipolar transistor
  • MGW12N120D
    • Insulated gate bipolar transistor with anti-parallel diode

MGW12N120D Datasheet и спецификация

Производитель : Motorola 

Упаковка : TO-247AE 

Pins : 3 

Темп. диапазон : Минимум -55 °C | Макс 150 °C

Размер : 274 KB

Заявка : Insulated gate bipolar transistor with anti-parallel diode 

MGW12N120D Скачать PDF