Путь:OKDatasheet > Полупроводниковые Datasheet > Mitsubishi Datasheet > MGFC41V3642
MGFC41V3642 спецификации: 3.6-4.2 GHz band 12W internally matched GaAs FET
Аналогичные MGFC41V3642
- MGFC1403
- GaA fet for microwave low-noise amplifiers
- MGFC1403
- GaA fet for microwave low-noise amplifiers
- MGFC36V3436
- 3.4-3.6GHz band 4W internally matched GaAs FET
- MGFC36V5258
- 5.2-5.8GHz band 4W internally matched GaAs FET
- MGFC36V59964A
- 5.9-6.4GHz band 4W internally matched GaAs FET
- MGFC36V6472A
- 6.4-7.2 GHz band 4W internally matched GaAs FET
- MGFC36V7177A
- 7.1-7.7 GHz band 4W internally matched GaAs FET
- MGFC36V7785A
- 7.7-8.5GHz band 4W internally matched GaAs fet
MGFC41V3642 Datasheet и спецификация
Производитель : Mitsubishi
Упаковка : GF-18
Pins : 3
Темп. диапазон : Минимум 0 °C | Макс 0 °C
Размер : 103 KB
Заявка : 3.6-4.2 GHz band 12W internally matched GaAs FET
MGFC41V3642 Скачать PDF