Путь:OKDatasheet > Полупроводниковые Datasheet > Mitsubishi Datasheet > M54587P
M54587P спецификации: 8-unit 500mA darlington transistor array with clamp diode
Аналогичные M54587P
- M54519FP
- 7-unit 400mA darlington transistor array
- M54519P
- 7-unit 400mA darlington transistor array
- M54519P
- 7-unit 400mA darlington transistor array
- M54522FP
- 8-unit 400mA darlington transistor array with clamp diode
- M54522FP
- 8-unit 400mA darlington transistor array with clamp diode
- M54522P
- 8-unit 400mA darlington transistor array with clamp diode
- M54523FP
- 7-unit 500mA darlington transistor arrays with clamping diodes.
- M54523P
- 7-unit 500mA darlington transistor arrays with clamping diodes.
M54587P Datasheet и спецификация
Производитель : Mitsubishi
Упаковка : 20P4
Pins : 20
Темп. диапазон : Минимум -20 °C | Макс 75 °C
Размер : 48 KB
Заявка : 8-unit 500mA darlington transistor array with clamp diode
M54587P Скачать PDF