Путь:OKDatasheet > Полупроводниковые Datasheet > Micron Datasheet > MT58V512V36DT-10
MT58V512V36DT-10 спецификации: 2.5V, 512K x 36 pipelined, DCD syncburst SRAM, 10ns
Аналогичные MT58V512V36DT-10
- MT58L1MY18DF-6
- 3.3V, 1 Meg x 18 pipelined, DCD syncburst SRAM, 6ns
- MT58L1MY18DF-7.5
- 3.3V, 1 Meg x 18 pipelined, DCD syncburst SRAM, 7.5ns
- MT58L1MY18DT-10
- 3.3V, 1 Meg x 18 pipelined, DCD syncburst SRAM, 10ns
- MT58L1MY18DT-10
- 3.3V, 1 Meg x 18 pipelined, DCD syncburst SRAM, 10ns
- MT58L1MY18DT-6
- 3.3V, 1 Meg x 18 pipelined, DCD syncburst SRAM, 6ns
- MT58L1MY18DT-7.5
- 3.3V, 1 Meg x 18 pipelined, DCD syncburst SRAM, 7.5ns
- MT58L512Y32DF-10
- "3.3V, 512K x 32 pipelined, DCD syncburst SRAM, 10ns"
- MT58L512Y32DF-7.5
- 3.3V, 512K x 32 pipelined, DCD syncburst SRAM, 7.5ns
MT58V512V36DT-10 Datasheet и спецификация
Производитель : Micron
Упаковка : TQFP
Pins : 100
Темп. диапазон : Минимум 0 °C | Макс 70 °C
Размер : 578 KB
Заявка : 2.5V, 512K x 36 pipelined, DCD syncburst SRAM, 10ns
MT58V512V36DT-10 Скачать PDF