Путь:OKDatasheet > Полупроводниковые Datasheet > Micro Electronics Datasheet > MPS6512
MPS6512 спецификации: 4V, 350mW NPN silicon planar epitaxial transistor
Аналогичные MPS6512
- MPS6512
- 4V, 350mW NPN silicon planar epitaxial transistor
- MPS6512S
- 4V, 350mW NPN silicon planar epitaxial transistor
- MPS6513
- 4V, 350mW NPN silicon planar epitaxial transistor
- MPS6514
- 4V, 350mW NPN silicon planar epitaxial transistor
- MPS6515
- 4V, 350mW NPN silicon planar epitaxial transistor
- MPS6516
- 4V, 350mW PNP silicon planar epitaxial transistor
- MPS6517
- 4V, 350mW PNP silicon planar epitaxial transistor
- MPS6518
- 4V, 350mW PNP silicon planar epitaxial transistor
MPS6512 Datasheet и спецификация
Производитель : Micro Electronics
Упаковка : TO-92A
Pins : 3
Темп. диапазон : Минимум -55 °C | Макс 150 °C
Размер : 196 KB
Заявка : 4V, 350mW NPN silicon planar epitaxial transistor
MPS6512 Скачать PDF