Путь:OKDatasheet > Полупроводниковые Datasheet > Micro Electronics Datasheet > BD241B
BD241B спецификации: 4mW NPN silicon epitaxial base power transistor
Аналогичные BD241B
- BD241
- 4mW NPN silicon epitaxial base power transistor
- BD241A
- 4mW NPN silicon epitaxial base power transistor
- BD241B
- 4mW NPN silicon epitaxial base power transistor
- BD242
- 4mW NPN silicon epitaxial base power transistor
- BD242A
- 4mW NPN silicon epitaxial base power transistor
- BD242B
- 4mW NPN silicon epitaxial base power transistor
BD241B Datasheet и спецификация
Производитель : Micro Electronics
Упаковка : TO-220B
Pins : 3
Темп. диапазон : Минимум -55 °C | Макс 150 °C
Размер : 106 KB
Заявка : 4mW NPN silicon epitaxial base power transistor
BD241B Скачать PDF