Путь:OKDatasheet > Полупроводниковые Datasheet > Micro Electronics Datasheet > BC309
BC309 спецификации: 300mW PNP silicon planar epitaxial transistor
Аналогичные BC309
- BC300
- 850mW NPN silicon AF medium power amplifier
- BC301
- 850mW NPN silicon AF medium power amplifier
- BC302
- 850mW NPN silicon AF medium power amplifier
- BC303
- 850mW NPN silicon AF medium power amplifier
- BC304
- 850mW NPN silicon AF medium power amplifier
- BC307
- 300mW PNP silicon planar epitaxial transistor
- BC308
- 300mW PNP silicon planar epitaxial transistor
- BC309
- 300mW PNP silicon planar epitaxial transistor
BC309 Datasheet и спецификация
Производитель : Micro Electronics
Упаковка : TO-92F
Pins : 2
Темп. диапазон : Минимум -55 °C | Макс 150 °C
Размер : 247 KB
Заявка : 300mW PNP silicon planar epitaxial transistor
BC309 Скачать PDF