Путь:OKDatasheet > Полупроводниковые Datasheet > Micro Electronics Datasheet > 2N5367
2N5367 спецификации: 360mW PNP silicon transistor
Аналогичные 2N5367
- 2N5307
- 400mW NPN darlington amplifier
- 2N5308
- 400mW NPN darlington amplifier
- 2N5367
- 360mW PNP silicon transistor
- 2N5367
- 360mW PNP silicon transistor
- 2N5368
- 500mW complementary silicon general purpose amplifier
- 2N5369
- 500mW complementary silicon general purpose amplifier
- 2N5370
- 500mW complementary silicon general purpose amplifier
- 2N5371
- 500mW complementary silicon general purpose amplifier
2N5367 Datasheet и спецификация
Производитель : Micro Electronics
Упаковка : TO-92B
Pins : 3
Темп. диапазон : Минимум -55 °C | Макс 150 °C
Размер : 62 KB
Заявка : 360mW PNP silicon transistor
2N5367 Скачать PDF