Путь:OKDatasheet > Полупроводниковые Datasheet > Micro Electronics Datasheet > 2N2906
2N2906 спецификации: 400mW PNP silicon general purpose amplifier
Аналогичные 2N2906
- 2N2904A
- NPN silicon planar epitaxial transistor
- 2N2904A
- NPN silicon planar epitaxial transistor
- 2N2905
- 600mW PNP silicon planar epitaxial transistor
- 2N2905A
- NPN silicon planar epitaxial transistor
- 2N2905A
- NPN silicon planar epitaxial transistor
- 2N2906
- 400mW PNP silicon general purpose amplifier
- 2N2906A
- 400mW PNP silicon general purpose amplifier
- 2N2907
- 400mW PNP silicon planar epitaxial transistor
2N2906 Datasheet и спецификация
Производитель : Micro Electronics
Упаковка : TO-18
Pins : 3
Темп. диапазон : Минимум 0 °C | Макс 0 °C
Размер : 113 KB
Заявка : 400mW PNP silicon general purpose amplifier
2N2906 Скачать PDF