Путь:OKDatasheet > Полупроводниковые Datasheet > MDE Semiconductor Datasheet > P4KE8.2
P4KE8.2 спецификации: 6.63V; 10mA ;400W peak pulse power; glass passivated junction transient voltage suppressor (TVS) diode. For bipolar applications
Путь:OKDatasheet > Полупроводниковые Datasheet > MDE Semiconductor Datasheet > P4KE8.2
P4KE8.2 спецификации: 6.63V; 10mA ;400W peak pulse power; glass passivated junction transient voltage suppressor (TVS) diode. For bipolar applications
Производитель : MDE Semiconductor
Упаковка :
Pins : 2
Темп. диапазон : Минимум -55 °C | Макс 175 °C
Размер : 928 KB
Заявка : 6.63V; 10mA ;400W peak pulse power; glass passivated junction transient voltage suppressor (TVS) diode. For bipolar applications