Путь:OKDatasheet > Полупроводниковые Datasheet > MDE Semiconductor Datasheet > P4KE160
P4KE160 спецификации: 130.00V; 1mA ;400W peak pulse power; glass passivated junction transient voltage suppressor (TVS) diode. For bipolar applications
Путь:OKDatasheet > Полупроводниковые Datasheet > MDE Semiconductor Datasheet > P4KE160
P4KE160 спецификации: 130.00V; 1mA ;400W peak pulse power; glass passivated junction transient voltage suppressor (TVS) diode. For bipolar applications
Производитель : MDE Semiconductor
Упаковка :
Pins : 2
Темп. диапазон : Минимум -55 °C | Макс 175 °C
Размер : 928 KB
Заявка : 130.00V; 1mA ;400W peak pulse power; glass passivated junction transient voltage suppressor (TVS) diode. For bipolar applications