Путь:OKDatasheet > Полупроводниковые Datasheet > JGD Datasheet > 1N5399
1N5399 спецификации: 1.5 A, silicon rectifier. Max recurrent peak reverse voltage 1000 V, max RMS voltage 700 V, max D. C blocking voltage 1000 V.
Путь:OKDatasheet > Полупроводниковые Datasheet > JGD Datasheet > 1N5399
1N5399 спецификации: 1.5 A, silicon rectifier. Max recurrent peak reverse voltage 1000 V, max RMS voltage 700 V, max D. C blocking voltage 1000 V.
Производитель : JGD
Упаковка : DO-15
Pins : 2
Темп. диапазон : Минимум -65 °C | Макс 125 °C
Размер : 161 KB
Заявка : 1.5 A, silicon rectifier. Max recurrent peak reverse voltage 1000 V, max RMS voltage 700 V, max D. C blocking voltage 1000 V.