Путь:OKDatasheet > Полупроводниковые Datasheet > InterFET Datasheet > IFN5912
IFN5912 спецификации: N-Channel dual silicon junction field-effect transistor
Аналогичные IFN5912
- IFN5114
- P-Channel silicon junction field-effect transistor
- IFN5115
- P-Channel silicon junction field-effect transistor
- IFN5116
- P-Channel silicon junction field-effect transistor
- IFN5432
- N-Channel silicon junction field-effect transistor
- IFN5433
- N-Channel silicon junction field-effect transistor
- IFN5434
- N-Channel silicon junction field-effect transistor
- IFN5564
- N-Channel dual silicon junction field-effect transistor
- IFN5565
- N-Channel dual silicon junction field-effect transistor
IFN5912 Datasheet и спецификация
Производитель : InterFET
Упаковка : TO-78
Pins : 8
Темп. диапазон : Минимум 0 °C | Макс 0 °C
Размер : 71 KB
Заявка : N-Channel dual silicon junction field-effect transistor
IFN5912 Скачать PDF