Путь:OKDatasheet > Полупроводниковые Datasheet > Integral Datasheet > IW4023BN
IW4023BN спецификации: Triple 3-input NAND gate, high-voltage silicon-gate CMOS
Путь:OKDatasheet > Полупроводниковые Datasheet > Integral Datasheet > IW4023BN
IW4023BN спецификации: Triple 3-input NAND gate, high-voltage silicon-gate CMOS
Производитель : Integral
Упаковка : Plastic DIP
Pins : 14
Темп. диапазон : Минимум -55 °C | Макс 125 °C
Размер : 118 KB
Заявка : Triple 3-input NAND gate, high-voltage silicon-gate CMOS