Путь:OKDatasheet > Полупроводниковые Datasheet > Infineon Datasheet > HYB514100BJ-60
HYB514100BJ-60 спецификации: 4M x 1bit DRAM
Аналогичные HYB514100BJ-60
- HYB511000BJ-50
- 1M x 1bit DRAM
- HYB511000BJ-70
- 1M x 1bit DRAM
- HYB511000BJL-50
- 1M x 1bit DRAM
- HYB511000BJL-70
- 1M x 1bit DRAM
- HYB5116160BSJ-50
- 1M x 16-DRAM
- HYB5116160BSJ-60
- 1M x 16-DRAM
- HYB5116160BSJ-70
- 1M x 16-DRAM
- HYB5116165BJ-50
- 1M x 16bit EDO-DRAM
HYB514100BJ-60 Datasheet и спецификация
Производитель : Infineon
Упаковка : P-SOJ-26/20-2 300 mi
Pins : 26
Темп. диапазон : Минимум 0 °C | Макс 70 °C
Размер : 118 KB
Заявка : 4M x 1bit DRAM
HYB514100BJ-60 Скачать PDF