Путь:OKDatasheet > Полупроводниковые Datasheet > Infineon Datasheet > HYB5118165BST-60
HYB5118165BST-60 спецификации: 1M x 16bit EDO-DRAM
Аналогичные HYB5118165BST-60
- HYB511000BJ-50
- 1M x 1bit DRAM
- HYB511000BJ-70
- 1M x 1bit DRAM
- HYB511000BJL-50
- 1M x 1bit DRAM
- HYB511000BJL-70
- 1M x 1bit DRAM
- HYB5116160BSJ-50
- 1M x 16-DRAM
- HYB5116160BSJ-60
- 1M x 16-DRAM
- HYB5116160BSJ-70
- 1M x 16-DRAM
- HYB5116165BJ-50
- 1M x 16bit EDO-DRAM
HYB5118165BST-60 Datasheet и спецификация
Производитель : Infineon
Упаковка : P-TSOPII-50/44-1 400
Pins : 50
Темп. диапазон : Минимум 0 °C | Макс 70 °C
Размер : 211 KB
Заявка : 1M x 16bit EDO-DRAM
HYB5118165BST-60 Скачать PDF