Путь:OKDatasheet > Полупроводниковые Datasheet > Infineon Datasheet > HYB5117405BT-500
HYB5117405BT-500 спецификации: 4M x 4bit DRAM
Аналогичные HYB5117405BT-500
- HYB511000BJ-50
- 1M x 1bit DRAM
- HYB511000BJ-70
- 1M x 1bit DRAM
- HYB511000BJL-50
- 1M x 1bit DRAM
- HYB511000BJL-70
- 1M x 1bit DRAM
- HYB5116160BSJ-50
- 1M x 16-DRAM
- HYB5116160BSJ-60
- 1M x 16-DRAM
- HYB5116160BSJ-70
- 1M x 16-DRAM
- HYB5116165BJ-50
- 1M x 16bit EDO-DRAM
HYB5117405BT-500 Datasheet и спецификация
Производитель : Infineon
Упаковка : P-TSOPII-26/24 300 m
Pins : 26
Темп. диапазон : Минимум 0 °C | Макс 70 °C
Размер : 355 KB
Заявка : 4M x 4bit DRAM
HYB5117405BT-500 Скачать PDF