Путь:OKDatasheet > Полупроводниковые Datasheet > Infineon Datasheet > HYB39S256160T-10
HYB39S256160T-10 спецификации: 256Mbit Synchronous DRAM
Аналогичные HYB39S256160T-10
- HYB3116160BSJ-70
- 1M x 16bit EDO-DRAM
- HYB3116160BST-50
- 1M x 16bit EDO-DRAM
- HYB3116160BST-60
- 1M x 16bit EDO-DRAM
- HYB3116160BST-70
- 1M x 16bit EDO-DRAM
- HYB3116400BJ-50
- 4M x 4bit DRAM
- HYB3116400BJ-60
- 4M x 4bit DRAM
- HYB3116400BJ-70
- 4M x 4bit EDO-DRAM
- HYB3116400BT-50
- 4M x 4bit DRAM
HYB39S256160T-10 Datasheet и спецификация
Производитель : Infineon
Упаковка : P-TSOP-54-2
Pins : 54
Темп. диапазон : Минимум 0 °C | Макс 70 °C
Размер : 467 KB
Заявка : 256Mbit Synchronous DRAM
HYB39S256160T-10 Скачать PDF