Путь:OKDatasheet > Полупроводниковые Datasheet > Infineon Datasheet > HYB3165805BJ-60
HYB3165805BJ-60 спецификации: 8M x 8bit DRAM
Аналогичные HYB3165805BJ-60
- HYB3116160BSJ-70
- 1M x 16bit EDO-DRAM
- HYB3116160BST-50
- 1M x 16bit EDO-DRAM
- HYB3116160BST-60
- 1M x 16bit EDO-DRAM
- HYB3116160BST-70
- 1M x 16bit EDO-DRAM
- HYB3116400BJ-50
- 4M x 4bit DRAM
- HYB3116400BJ-60
- 4M x 4bit DRAM
- HYB3116400BJ-70
- 4M x 4bit EDO-DRAM
- HYB3116400BT-50
- 4M x 4bit DRAM
HYB3165805BJ-60 Datasheet и спецификация
Производитель : Infineon
Упаковка : P-SOJ-32-1
Pins : 32
Темп. диапазон : Минимум 0 °C | Макс 70 °C
Размер : 333 KB
Заявка : 8M x 8bit DRAM
HYB3165805BJ-60 Скачать PDF