Путь:OKDatasheet > Полупроводниковые Datasheet > Infineon Datasheet > HYB314400BJ-50
HYB314400BJ-50 спецификации: 1M x 4bit DRAM
Аналогичные HYB314400BJ-50
- HYB3116160BSJ-70
- 1M x 16bit EDO-DRAM
- HYB3116160BST-50
- 1M x 16bit EDO-DRAM
- HYB3116160BST-60
- 1M x 16bit EDO-DRAM
- HYB3116160BST-70
- 1M x 16bit EDO-DRAM
- HYB3116400BJ-50
- 4M x 4bit DRAM
- HYB3116400BJ-60
- 4M x 4bit DRAM
- HYB3116400BJ-70
- 4M x 4bit EDO-DRAM
- HYB3116400BT-50
- 4M x 4bit DRAM
HYB314400BJ-50 Datasheet и спецификация
Производитель : Infineon
Упаковка : P-SOJ-26/20-2 300 mi
Pins : 26
Темп. диапазон : Минимум 0 °C | Макс 70 °C
Размер : 138 KB
Заявка : 1M x 4bit DRAM
HYB314400BJ-50 Скачать PDF