Путь:OKDatasheet > Полупроводниковые Datasheet > Infineon Datasheet > HYB314171BJ-50
HYB314171BJ-50 спецификации: 256K x 16bit DRAM
Аналогичные HYB314171BJ-50
- HYB3116160BSJ-70
- 1M x 16bit EDO-DRAM
- HYB3116160BST-50
- 1M x 16bit EDO-DRAM
- HYB3116160BST-60
- 1M x 16bit EDO-DRAM
- HYB3116160BST-70
- 1M x 16bit EDO-DRAM
- HYB3116400BJ-50
- 4M x 4bit DRAM
- HYB3116400BJ-60
- 4M x 4bit DRAM
- HYB3116400BJ-70
- 4M x 4bit EDO-DRAM
- HYB3116400BT-50
- 4M x 4bit DRAM
HYB314171BJ-50 Datasheet и спецификация
Производитель : Infineon
Упаковка : P-SOJ-40-1
Pins : 40
Темп. диапазон : Минимум 0 °C | Макс 70 °C
Размер : 1126 KB
Заявка : 256K x 16bit DRAM
HYB314171BJ-50 Скачать PDF