Путь:OKDatasheet > Полупроводниковые Datasheet > Infineon Datasheet > HYB314100BJ-60
HYB314100BJ-60 спецификации: 4M x 1bit DRAM
Аналогичные HYB314100BJ-60
- HYB3116160BSJ-70
- 1M x 16bit EDO-DRAM
- HYB3116160BST-50
- 1M x 16bit EDO-DRAM
- HYB3116160BST-60
- 1M x 16bit EDO-DRAM
- HYB3116160BST-70
- 1M x 16bit EDO-DRAM
- HYB3116400BJ-50
- 4M x 4bit DRAM
- HYB3116400BJ-60
- 4M x 4bit DRAM
- HYB3116400BJ-70
- 4M x 4bit EDO-DRAM
- HYB3116400BT-50
- 4M x 4bit DRAM
HYB314100BJ-60 Datasheet и спецификация
Производитель : Infineon
Упаковка : P-SOJ-26/20-5
Pins : 26
Темп. диапазон : Минимум 0 °C | Макс 70 °C
Размер : 1126 KB
Заявка : 4M x 1bit DRAM
HYB314100BJ-60 Скачать PDF