Путь:OKDatasheet > Полупроводниковые Datasheet > Infineon Datasheet > BSM150GB120DN2E3166
BSM150GB120DN2E3166 спецификации: 1200V/210A IGBT power module
Аналогичные BSM150GB120DN2E3166
- BSM100GAL120DN2
- 1200V/150A IGBT power module
- BSM100GB120DN2
- 1200V/150A IGBT power module
- BSM100GB120DN2K
- 1200V/145A IGBT power module
- BSM100GB170DN2
- 1700V/145A IGBT power module
- BSM100GT120DN2
- 1200V/150A IGBT power module
- BSM101AR
- SIMOPAC module
- BSM10GD60DN2
- 600V/10A IGBT power module
- BSM111AR
- SIMOPAC module
BSM150GB120DN2E3166 Datasheet и спецификация
Производитель : Infineon
Упаковка : HALF-BRIDG2
Pins : 7
Темп. диапазон : Минимум 0 °C | Макс 0 °C
Размер : 142 KB
Заявка : 1200V/210A IGBT power module
BSM150GB120DN2E3166 Скачать PDF