Путь:OKDatasheet > Полупроводниковые Datasheet > IXYS Datasheet > IXTN21N100
IXTN21N100 спецификации: 600V high voltage megaMOS FET
Путь:OKDatasheet > Полупроводниковые Datasheet > IXYS Datasheet > IXTN21N100
IXTN21N100 спецификации: 600V high voltage megaMOS FET
Производитель : IXYS
Упаковка : SOT-227B
Pins : 4
Темп. диапазон : Минимум -55 °C | Макс 150 °C
Размер : 150 KB
Заявка : 600V high voltage megaMOS FET