Путь:OKDatasheet > Полупроводниковые Datasheet > IXYS Datasheet > IXSH35N100A
IXSH35N100A спецификации: 1000V HiPerFET power MOSFET
Аналогичные IXSH35N100A
- IXSH15N120B
- 1200V HiPerFAST IGBT
- IXSH24N60
- 600V HiPerFAST IGBT
- IXSH24N60A
- 600V HiPerFAST IGBT
- IXSH24N60AU1
- 600V HiPerFAST IGBT with diode
- IXSH24N60B
- 600V high speed IGBT
- IXSH24N60U1
- 600V HiPerFAST IGBT with diode
- IXSH25N120A
- 1200V IGBT
- IXSH25N120AU1
- 1200V fast recovery epitaxial diode (FRED)
IXSH35N100A Datasheet и спецификация
Производитель : IXYS
Упаковка : TO-247
Pins : 3
Темп. диапазон : Минимум -55 °C | Макс 150 °C
Размер : 87 KB
Заявка : 1000V HiPerFET power MOSFET
IXSH35N100A Скачать PDF