Путь:OKDatasheet > Полупроводниковые Datasheet > IXYS Datasheet > IXGT31N60D1
IXGT31N60D1 спецификации: 600V HiPerFET power MOSFET
Аналогичные IXGT31N60D1
- IXGT15N120B
- 1200V HiPerFAST IGBT
- IXGT15N120BD1
- 1200V low voltage IGBT with diode
- IXGT15N120C
- 1200V IGBT
- IXGT15N120CD1
- 1200V low voltage IGBT with diode
- IXGT20N100
- 1000V IGBT
- IXGT20N60B
- 600V HiPerFAST IGBT
- IXGT20N60BD1
- 600V HiPerFAST IGBT with diode
- IXGT24N60C
- 600V HiPerFAST IGBT
IXGT31N60D1 Datasheet и спецификация
Производитель : IXYS
Упаковка : TO-268
Pins : 3
Темп. диапазон : Минимум -55 °C | Макс 150 °C
Размер : 58 KB
Заявка : 600V HiPerFET power MOSFET
IXGT31N60D1 Скачать PDF