Путь:OKDatasheet > Полупроводниковые Datasheet > IXYS Datasheet > IXGH31N60D1
IXGH31N60D1 спецификации: 600V HiPerFET power MOSFET
Аналогичные IXGH31N60D1
- IXGH12N100
- 1000V low voltage high speed IGBT
- IXGH12N100A
- 1000V low voltage high speed IGBT
- IXGH12N100AU1
- 1000V high voltage IGBT
- IXGH12N100U1
- 1000V high voltage IGBT
- IXGH12N60B
- 600V HiPerFAST IGBT
- IXGH12N60BD1
- 600V HiPerFAST IGBT
- IXGH12N60C
- 600V HiPerFAST IGBT
- IXGH12N60CD1
- 600V HiPerFAST IGBT
IXGH31N60D1 Datasheet и спецификация
Производитель : IXYS
Упаковка : TO-247
Pins : 3
Темп. диапазон : Минимум -55 °C | Макс 150 °C
Размер : 58 KB
Заявка : 600V HiPerFET power MOSFET
IXGH31N60D1 Скачать PDF