Путь:OKDatasheet > Полупроводниковые Datasheet > IXYS Datasheet > IXFN200N06
IXFN200N06 спецификации: 60V HiPerFET power MOSFET
Аналогичные IXFN200N06
- IXFN100N10S3
- 100V HiPerFET power MOSFET with schottky diodes
- IXFN100N20
- 200V HiPerFET power MOSFET
- IXFN100N25
- 250V HiPerFET power MOSFET
- IXFN106N20
- 200V HiPerFET power MOSFET
- IXFN120N20
- 200V HiPerFET power MOSFET
- IXFN130N30
- 300V HiPerFET power MOSFET single die MOSFET
- IXFN13N80Q
- 800V HiPerFET power MOSFET Q-class
- IXFN150N10
- 100V HiPerFET power MOSFET
IXFN200N06 Datasheet и спецификация
Производитель : IXYS
Упаковка : SOT-227B
Pins : 4
Темп. диапазон : Минимум -55 °C | Макс 150 °C
Размер : 206 KB
Заявка : 60V HiPerFET power MOSFET
IXFN200N06 Скачать PDF