Путь:OKDatasheet > Полупроводниковые Datasheet > IXYS Datasheet > IXBT16N170
IXBT16N170 спецификации: 1700V high voltage, high gain BIMOSFET monolithic bipolar MOS transistor
Аналогичные IXBT16N170
- IXBT16N170
- 1700V high voltage, high gain BIMOSFET monolithic bipolar MOS transistor
- IXBT40N140
- 1400V high voltage BIMOSFET
- IXBT40N160
- 1600V high voltage BIMOSFET
- IXBT40N160
- 1600V high voltage BIMOSFET
- IXBT40N160
- 1600V high voltage BIMOSFET monolithic bipolar MOS transistor
- IXBT42N170
- 1700V high voltage, high gain BIMOSFET monolithic bipolar MOS transistor
IXBT16N170 Datasheet и спецификация
Производитель : IXYS
Упаковка : TO-268
Pins : 3
Темп. диапазон : Минимум -55 °C | Макс 150 °C
Размер : 54 KB
Заявка : 1700V high voltage, high gain BIMOSFET monolithic bipolar MOS transistor
IXBT16N170 Скачать PDF