Путь:OKDatasheet > Полупроводниковые Datasheet > IXYS Datasheet > IXBH16N170
IXBH16N170 спецификации: 1700V high voltage, high gain BIMOSFET monolithic bipolar MOS transistor
Аналогичные IXBH16N170
- IXBH15N140
- 1400V high voltage BIMOSFET monolithic bipolar MOS transistor
- IXBH15N160
- 1600V high voltage BIMOSFET monolithic bipolar MOS transistor
- IXBH16N170
- 1700V high voltage, high gain BIMOSFET monolithic bipolar MOS transistor
- IXBH16N170A
- 1700V high voltage, high gain BIMOSFET monolithic bipolar MOS transistor
- IXBH20N140
- 1400V high voltage BIMOSFET monolithic bipolar MOS transistor
- IXBH20N160
- 1600V high voltage BIMOSFET monolithic bipolar MOS transistor
- IXBH42N170
- 1700V high voltage, high gain BIMOSFET monolithic bipolar MOS transistor
- IXBH9N140G
- 1400V high volatge BIMOSFET
IXBH16N170 Datasheet и спецификация
Производитель : IXYS
Упаковка : TO-247AD
Pins : 3
Темп. диапазон : Минимум -55 °C | Макс 150 °C
Размер : 54 KB
Заявка : 1700V high voltage, high gain BIMOSFET monolithic bipolar MOS transistor
IXBH16N170 Скачать PDF