Путь:OKDatasheet > Полупроводниковые Datasheet > ISSI Datasheet > IS41LV16400-60TE
IS41LV16400-60TE спецификации: 3.3V 4M x 16(64-MBIT) dynamic RAM with edo page mode
Аналогичные IS41LV16400-60TE
- IS41C16100-50K
- 5V 1M x 16(16-MBIT) dynamic RAM with edo page mode
- IS41C16100-50KE
- 5V 1M x 16(16-MBIT) dynamic RAM with edo page mode
- IS41C16100-50KI
- 5V 1M x 16(16-MBIT) dynamic RAM with edo page mode
- IS41C16100-50T
- 5V 1M x 16(16-MBIT) dynamic RAM with edo page mode
- IS41C16100-50TE
- 5V 1M x 16(16-MBIT) dynamic RAM with edo page mode
- IS41C16100-50TI
- 5V 1M x 16(16-MBIT) dynamic RAM with edo page mode
- IS41C16100-60K
- 5V 1M x 16(16-MBIT) dynamic RAM with edo page mode
- IS41C16100-60KI
- 5V 1M x 16(16-MBIT) dynamic RAM with edo page mode
IS41LV16400-60TE Datasheet и спецификация
Производитель : ISSI
Упаковка : TSOP
Pins : 50
Темп. диапазон : Минимум -30 °C | Макс 85 °C
Размер : 155 KB
Заявка : 3.3V 4M x 16(64-MBIT) dynamic RAM with edo page mode
IS41LV16400-60TE Скачать PDF