Путь:OKDatasheet > Полупроводниковые Datasheet > IR Datasheet > IRGBC30S
IRGBC30S спецификации: Insulated gate bipolar transistor
Путь:OKDatasheet > Полупроводниковые Datasheet > IR Datasheet > IRGBC30S
IRGBC30S спецификации: Insulated gate bipolar transistor
Производитель : IR
Упаковка :
Pins : 3
Темп. диапазон : Минимум -55 °C | Макс 150 °C
Размер : 277 KB
Заявка : Insulated gate bipolar transistor