Путь:OKDatasheet > Полупроводниковые Datasheet > IR Datasheet > IRFU9N20D
IRFU9N20D спецификации: HEXFET power MOSFET. VDSS = 200V, RDS(on) = 0.38 Ohm, ID = 9.4A
Путь:OKDatasheet > Полупроводниковые Datasheet > IR Datasheet > IRFU9N20D
IRFU9N20D спецификации: HEXFET power MOSFET. VDSS = 200V, RDS(on) = 0.38 Ohm, ID = 9.4A
Производитель : IR
Упаковка : I-PAK
Pins : 3
Темп. диапазон : Минимум -55 °C | Макс 175 °C
Размер : 138 KB
Заявка : HEXFET power MOSFET. VDSS = 200V, RDS(on) = 0.38 Ohm, ID = 9.4A