Путь:OKDatasheet > Полупроводниковые Datasheet > IR Datasheet > IRFPG50
IRFPG50 спецификации: HEXFET power MOSFET. VDSS = 1000 V, RDS(on) = 2.0 Ohm, ID = 6.1 A
Путь:OKDatasheet > Полупроводниковые Datasheet > IR Datasheet > IRFPG50
IRFPG50 спецификации: HEXFET power MOSFET. VDSS = 1000 V, RDS(on) = 2.0 Ohm, ID = 6.1 A
Производитель : IR
Упаковка : TO-247AC
Pins : 3
Темп. диапазон : Минимум -55 °C | Макс 150 °C
Размер : 232 KB
Заявка : HEXFET power MOSFET. VDSS = 1000 V, RDS(on) = 2.0 Ohm, ID = 6.1 A