Путь:OKDatasheet > Полупроводниковые Datasheet > IR Datasheet > IRFPF30
IRFPF30 спецификации: HEXFET power MOSFET. VDSS = 900 V, RDS(on) = 3.7 Ohm, ID = 3.6 A
Путь:OKDatasheet > Полупроводниковые Datasheet > IR Datasheet > IRFPF30
IRFPF30 спецификации: HEXFET power MOSFET. VDSS = 900 V, RDS(on) = 3.7 Ohm, ID = 3.6 A
Производитель : IR
Упаковка : TO-247AC
Pins : 3
Темп. диапазон : Минимум -55 °C | Макс 150 °C
Размер : 181 KB
Заявка : HEXFET power MOSFET. VDSS = 900 V, RDS(on) = 3.7 Ohm, ID = 3.6 A