Путь:OKDatasheet > Полупроводниковые Datasheet > IR Datasheet > IRFPE30
IRFPE30 спецификации: HEXFET power MOSFET. VDSS = 800 V, RDS(on) = 3.0 Ohm, ID = 4.1 A
Путь:OKDatasheet > Полупроводниковые Datasheet > IR Datasheet > IRFPE30
IRFPE30 спецификации: HEXFET power MOSFET. VDSS = 800 V, RDS(on) = 3.0 Ohm, ID = 4.1 A
Производитель : IR
Упаковка : TO-247AC
Pins : 3
Темп. диапазон : Минимум -55 °C | Макс 150 °C
Размер : 181 KB
Заявка : HEXFET power MOSFET. VDSS = 800 V, RDS(on) = 3.0 Ohm, ID = 4.1 A